星空-思坦科技助力深紫外Micro

[导读]深圳2024年10月18日 /美通社/ -- 由思坦科技与南边科技年夜学、中国香港科技年夜学、国度第三代半导体手艺立异中间（姑苏）结合攻关的重年夜功效——基在高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 显示的无掩膜光刻手艺，在10月15日正式在国际顶尖权势巨子学术期刊 Nature Pho...

深圳2024年10月18日 /美通社/ -- 由思坦科技与南边科技年夜学、中国香港科技年夜学、国度第三代半导体手艺立异中间（姑苏）结合攻关的重年夜功效——基在高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 显示的无掩膜光刻手艺，在10月15日正式在国际顶尖权势巨子学术期刊 Nature Photonics 上颁发。思坦科技Micro-LED研究院青年研究员冯锋博士为第一作者，思坦科技开创人刘召军博士为通信作者。本项工作中由思坦科技供给驱动IC芯片，并承当示范利用工作。

本次报导，既代表思坦科技在 Micro-LED 无掩膜光刻范畴获得了冲破性功效，同时也标记着半导体行业的制造工艺行将迎来革命性进展。

光刻手艺：皇冠上的那颗明珠

在集成电路芯片制造中，光刻是相当主要的一个环节。光刻手艺是指在光照感化下，借助光刻胶将掩膜版上的图形转移到晶圆上的手艺。因为光刻的工艺程度直接决议芯片的制程程度和机能程度，光刻成为芯片制造中最复杂、最要害的工艺步调。且传统光刻机的机械布局复杂、系统体积重大，相干手艺被欧美发财国度所垄断封闭，同样成为半导体行业的"卡脖子"手艺。

在传统光刻进程中，掩膜版的制造和改换本钱昂扬，光刻效力也遭到多重限制。而思坦科技研发的高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 手艺，操纵无掩膜光刻的体例，不但解决了半导体系体例造中的要害手艺瓶颈，还供给了一条制造本钱更低、暴光效力更高的解决方案。

高功率 AlGaN 深紫外Micro-LED手艺：无掩膜光刻的革命性冲破

该手艺的焦点在在利用铝镓氮（AlGaN）材料制造动身光波长为 270 纳米的深紫外 Micro-LED，这些 LED 像素尺寸仅为 3 微米，外量子效力到达 5.7%，发亮光度达 396 W/cm²，降服了传统光刻手艺中的光功率限制。经由过程 CMOS 驱动直接显示暴光图案，深紫外 Micro-LED 显示手艺实现了图案与光源的集成，避免了掩膜版的复杂操作流程。另外，分辩率高达 320×140 像素、像素密度为 2540 PPI的 UVC Micro-LED 显示屏揭示了其在半导体范畴周详制造中的庞大潜力。

开启半导体无掩膜光刻时期

今朝，这类基在深紫外Micro-LED显示手艺的无掩膜光刻方式，已被验证成功利用在 Micro-LED 显示屏幕的制造中。这一冲破显著节流了光刻掩模板制造的高本钱，同时在效力上远超电子束直写的无掩膜暴光手艺。

更具划时期意义的是，该研究标记着深紫外 Micro-LED 手艺将开启无掩膜光刻的立异解决方案，这对包罗半导体在内的浩繁行业而言都是一项革命性进展。

作为专注在光子学范畴的专业期刊，Nature Photonics 颁发高质量、颠末同业评审的研究功效，内容涵盖光的发生、把持和检测的各个方面。本次思坦科技结合研究功效在 Nature Photonics 上的颁发，再次表现了思坦科技的手艺研发和财产化实力。

接下来，思坦团队将继续晋升 AlGaN 深紫外 Micro-LED 的各项机能，并对原型机进行改良，开辟2~8k高分辩率的深紫外 Micro-LED 显示产物，为半导体系体例造范畴供给更高效、更具本钱效益的芯片制造解决方案，助力全球科技财产的快速进级。也许在不久的将来，即可在科研、医疗、非凡场景利用等范畴内见证该项手艺的财产化利用。

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